טכנולוגיית מיקרון הייתה הראשונה לייצר זיכרון פאזה המוני למכשירים ניידים. חלקם עדיין לא מודעים ליתרונות הטכנולוגיה החדשנית הזו. כדי לברר כיצד זיכרון טלפון כזה יעבוד, עליך לנתח את עקרון הפעולה של המעגל המיקרו הזה, שיכול לעבור משלב אחד למשנהו.
זיכרון פאזה הוא מעגל משולב המבוסס על מעבר פאזה באמצעות צינורות ננו. מומחים מכנים זאת אחרת: PRAM, זיכרון מאוחד של Ovonic, PCM, PCRAM, C-RAM ו- RAM של כלקוגניד.
הגרסה העיקרית של עבודתה היא התמרה יוצאת דופן של הכלקוגניד, שיכול לעבור ממצב אמורפי למצב גבישי ולהיפך. זה קורה בגלל ההשפעה של טמפרטורות גבוהות של זרם חשמלי על מולקולות החומר.
זיכרון זה נחשב לא נדיף. מכיוון שיש לו את היכולת לשמור מידע גם כאשר החשמל כבוי. ומהירות עבודתה ניתנת להשוואה רק לזו של DRAM ואף עולה עליה.
בנוסף לעצמאות מאנרגיה וביצועים גבוהים, לזיכרון PCM יש מספר רב של יכולות שכתוב, גודל תאים עצום לאחסון מידע, עמידות מצוינת ואמינות כנגד גורמים חיצוניים.
כל המאפיינים הנ ל של זיכרון המופנה בשלב מאפשרים להקל משמעותית על תכנון מעגלים במכשירים מיקרו-אלקטרוניים, ובמקביל לשפר את איכותם ולהכפיל את תכונותיהם הפונקציונליות.
בשלב זה, זיכרון פאזה מפותח ונבנה מחדש כל הזמן על ידי חברות ידועות כמו סמסונג, אינטל, נומוניקס, יבמ. ניתן להשתמש בו בתחומים כמו אלקטרוניקה רפואית, תעשיית רכב, הנדסת חלל, תעשייה גרעינית וכו '. בנוסף, טכנולוגיה זו הופכת להיות בלתי ניתנת להחלפה בסמארטפונים, טאבלטים ומחשבים אישיים.
מיקרון הסביר כי זיכרון הפאזה מעניק למכשיר האלקטרוני את האפשרות לאתחל תוך זמן קצר, עם צריכת חשמל נמוכה, בעל ביצועים ואמינות גבוהים ביותר. ההישג החדש הזה, שמדענים כינו "זיכרון העתיד" יוכל להתחרות בזיכרון הפלאש.
